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BSZ100N06LS3 G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ100N06LS3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSZ100N06LS3 G价格参考¥2.31-¥2.49以及InfineonBSZ100N06LS3 G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSZ100N06LS3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSZ100N06LS3 G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8MOSFET OptiMOS2 PWR Transistor N-CH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 53 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ100N06LS3 GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSZ100N06LS3_rev2.0.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb132c97000ahttp://www.infineon.com/dgdl/BSZ100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb132c97000a |
| 产品型号 | BSZ100N06LS3 G |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 23µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
| 其它名称 | BSZ100N06LS3GINCT |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | TSDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta), 20A (Tc) |
| 系列 | BSZ100N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | BSZ100N06LS3GATMA1 SP000453672 |